Nuclei Nanocristallini a C e a Perla con Rivestimento in Resina Epossidica
Soluzioni compatte e ad alte prestazioni per la soppressione EMI, il trasferimento di potenza e l’integrità del segnale
I nuclei nanocristallini a C e a perla con rivestimento in resina epossidica di TI-Electronic combinano prestazioni magnetiche eccellenti con flessibilità meccanica.
Il rivestimento epossidico consente la realizzazione di forme e dimensioni personalizzate senza costi aggiuntivi per gli stampi, rendendoli ideali per prototipazione rapida e produzione economica.
Questi componenti offrono alta permeabilità, dimensioni ridotte e forte isolamento elettrico, risultando adatti a una vasta gamma di applicazioni, tra cui:
Soppressione dei picchi di tensione
Isolamento dei segnali
Conversione di potenza
✨ Caratteristiche Principali
Formato miniaturizzato: Le dimensioni compatte riducono il volume totale del dispositivo
Isolamento epossidico: Elimina la necessità di stampi, consente forme personalizzate
Riduzione del volume del nucleo: Meno filo di rame, costo complessivo dei materiali inferiore
Elevata resistenza all’isolamento: Sopporta tensioni fino a 1000V
Alta permeabilità: Induttanza fino a 3 volte superiore rispetto ai nuclei in ferrite
🌋 Applicazioni Tipiche
Perle di soppressione dei picchi (es. per snubber MOSFET)
Trasformatori driver per IGBT
Trasformatori ad alta frequenza e gate driver
Trasformatori di segnale ISDN/rete
Induttanze di modo comune per EMI/EMC
Trasformatori di isolamento del segnale per telecamere HD
Trasformatori di corrente di precisione
🎯 Questi componenti sono ideali per ingegneri alla ricerca di soluzioni economiche, ad alta isolazione e magneticamente efficienti.
🔧 Vantaggi Tecnici
Prestazioni ad alta frequenza adatte a sistemi di potenza e di segnale
Il rivestimento epossidico garantisce una manipolazione sicura e resistenza agli agenti ambientali
Dimensioni personalizzate disponibili con tempi di consegna brevi e senza costi per attrezzature
Tabella delle Specifiche della Gamma Prodotti – Nuclei Nanocristallini a C e a Perla con Rivestimento Epossidico
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Part Nr. | Core dimension (mm) | Finished dimension (mm) | Eff. | Mean | AL (μH) | ||||
od | id | h | OD | ID | H | Ae | Lm | AL (Min) | |
TIE-NANO-BEAD-040203E | 4 | 2.2 | 3.2 | 4.5 | 1.7 | 3.8 | 0.021 | 0.97 | 10.0 |
TIE-NANO-BEAD-060303E | 6 | 3 | 3.2 | 7.0 | 2.0 | 4.2 | 0.037 | 1.41 | 16.6 |
TIE-NANO-BEAD-060403E | 6 | 4 | 3.2 | 7.0 | 3.0 | 4.2 | 0.025 | 1.57 | 10.0 |
TIE-NANO-BEAD-090503E | 9 | 5 | 3.2 | 10.0 | 4.0 | 4.2 | 0.050 | 2.20 | 15.0 |
TIE-NANO-BEAD-120910E | 11.8 | 8.7 | 10 | 12.8 | 7.7 | 11 | 0.121 | 3.22 | 25.0 |
TIE-NANO-BEAD-140905E | 14 | 9 | 4.5 | 15 | 8 | 5.5 | 0.088 | 3.61 | 16.0 |
TIE-NANO-BEAD-211308E | 21.3 | 13.6 | 8 | 22.3 | 12.6 | 9.0 | 0.240 | 5.48 | 33.0 |
La tolleranza del valore AL dei prodotti è regolata nell’accordo di qualità stipulato con il cliente.
