Nuclei Gap amorfi e nanocristallini

Nuclei con Traforo Amorfici e Nanocristallini

Nuclei ad alte prestazioni progettati per induttanze di precisione e carichi di corrente elevati

I nuclei amorfi e nanocristallini di TI-Electronic sono progettati per offrire prestazioni magnetiche stabili nelle applicazioni di potenza in cui la polarizzazione in corrente continua, l’aumento di temperatura e la gestione della corrente sono fattori critici. Questi nuclei presentano un traferro personalizzabile, consentendo valori di induttanza (AL) personalizzati e un comportamento del circuito ottimizzato sotto carico.

I nuclei sono disponibili sia in materiali amorfi che nanocristallini, offrendo agli ingegneri la flessibilità di scelta in base agli obiettivi di prestazioni e costi.

✨ Vantaggi principali

Elevata densità di flusso di saturazione: consente un funzionamento con elevata polarizzazione CC senza saturazione magnetica

Struttura a gap: mantiene la stabilità magnetica sotto carichi elevati

Basse perdite nel nucleo: riduce al minimo l’aumento di temperatura e migliora l’efficienza energetica

Elevata permeabilità: fornisce un’induttanza efficace con un minor numero di spire

Gap personalizzabili: valori AL su misura per soddisfare le specifiche esigenze applicative

🌋 Applicazioni tipiche

Correzione del fattore di potenza (induttanze PFC)

Induttori di filtro di uscita nei convertitori di potenza

Induttori di ingresso/uscita per inverter solari

Sensori di corrente a effetto Hall

I nuclei a gap sono particolarmente adatti per induttori polarizzati in corrente continua, dove le ferriti convenzionali si saturerebbero precocemente. Grazie ai gap personalizzabili, questi nuclei sono la scelta ideale per componenti magnetici ad alta efficienza.

🔧 Caratteristiche tecniche

Materiale: Lega amorfa e nanocristallina

Valori AL personalizzati: Regolati tramite una precisa regolazione del gap

Frequenza tipica: 10–100 kHz (a seconda dell’applicazione)

Temperatura di esercizio: Fino a 120 °C continui

Finitura del nucleo: Lavorato meccanicamente e rivestito con resina epossidica su richiesta

Nota: i valori AL sono misurazioni di riferimento a 1 kHz, 0,25 V. Il valore AL effettivo dipende dal gap. Tolleranze come concordato nei termini di garanzia della qualità.