Noyaux de gap amorphes et nanocristallins

Noyaux à entrefer amorphes et nanocristallins

Nanocrystalline Amorphous gap cores

Noyaux haute performance conçus pour une inductance précise et de fortes charges de courant

Les noyaux à entrefer amorphes et nanocristallins de TI-Electronic sont conçus pour offrir des performances magnétiques stables dans les applications de puissance où le courant continu (DC bias), l’élévation de température et la gestion du courant sont des facteurs critiques.

Ces noyaux disposent d’un entrefer personnalisable, permettant d’ajuster les valeurs d’inductance (AL) selon les besoins et d’optimiser le comportement du circuit en charge.

Disponibles en matériaux amorphes ou nanocristallins, ils offrent aux ingénieurs la flexibilité de choisir en fonction des exigences de performance et des objectifs de coût.

Avantages clés

  • Haute densité de flux de saturation : permet un fonctionnement sous fort courant continu (DC bias) sans saturation magnétique

  • Structure à entrefer : assure une stabilité magnétique sous forte charge

  • Faibles pertes dans le noyau : réduit l’élévation de température et améliore l’efficacité énergétique

  • Haute perméabilité : permet d’atteindre une inductance efficace avec moins de spires

  • Entrefers personnalisables : valeurs AL ajustées selon les besoins spécifiques de l’application

🌋 Applications typiques

  • Bobines de correction du facteur de puissance (PFC)

  • Inductances de filtrage en sortie des convertisseurs de puissance

  • Inducteurs d’entrée/sortie pour onduleurs solaires

  • Capteurs de courant à effet Hall

Les noyaux à entrefer sont particulièrement adaptés aux inducteurs polarisés en courant continu, où les ferrites classiques satureraient rapidement. Grâce à leurs entrefers personnalisables, ces noyaux représentent un excellent choix pour les systèmes magnétiques à haut rendement.

🔧 Caractéristiques techniques

  • Matériau : alliage amorphe et nanocristallin

  • Valeurs AL personnalisées : ajustées par réglage précis de l’entrefer

  • Fréquence typique : 10 à 100 kHz (selon l’application)

  • Température de fonctionnement : jusqu’à 120 °C en continu

  • Finition du noyau : usiné et revêtu d’époxy sur demande

Remarque : les valeurs AL sont des mesures de référence effectuées à 1 kHz, 0,25 V. Les valeurs réelles dépendent de l’entrefer. Les tolérances sont définies dans l’accord qualité conclu avec le client.

Noyaux à entrefer amorphes et nanocristallins – Tableau des spécifications de la gamme de produits

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Part Nr.

Core dimension (mm)

Finished dimension (mm)

Eff.
cross
area
(cm2)

Mean
path
length
(cm)

Gap
(mm)

AL
Value

od

id

h

OD

ID

H

Ae

Lm

Lg

AL

TIE-GAP-CORE-201208

20

12

8

21.7

10.8

9.9

0.28

5.0

0.5

0.125

TIE-GAP-CORE-261610

26

16

10

28.3

14.0

12.8

0.44

6.6

0.5

0.165

TIE-GAP-CORE-402515

40

25

15

44.4

22.0

18.8

0.99

10.2

0.8

0.240

TIE-GAP-CORE-603525

60

35

25

64.0

31.0

29.0

2.75

14.9

5.0

0.148

La tolérance de la valeur AL des produits est régie par l’accord qualité conclu avec le client.